In2O3, Индия (III) оксид
- Подробности
- Категория: Справочная информация
- Опубликовано 30.12.2018 16:56
- Автор: Gelena
- Просмотров: 1163
In2О3 - светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с кубической решеткой, плотность 7,18 г/см3. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300-400 °С образуется модификация с гексагональной решеткой типа корунда, устойчивая при обычном давлении; плотн. 7,3 г/см3.
Т. пл. 1910°С; выше 1200°С начинает возгоняться с диссоциацией на In2O и O2; Т.кип. - 3300 °С.
Полупроводник n-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамагнитен. Электрическая проводимость зависит от давления О2; при ~ 10 Па наблюдается обратимый переход к металлической проводимости.
In2О3 не раств. в воде. При нагревании легко взаимодействует с минеральными кислотами, при 300-500°С - с галогенами. При 700-800°С восстанавливается Н2 и С до металла. С аммиаком при 600-630 °С образует InN, при спекании с оксидами и карбонатами металлов - индаты, напр. NaInO2.
Получают In2О3 прокаливанием нитрата или гидроксида In, в виде пленок распылением индия в присут. О2, термическим разложением паров ацетилацетоната In и др.
In2О3 основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных SnO2) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллических дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрических контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты специальных стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал.
In2О - черное твердое вещество; Т.пл. ~325°С; плотн. 6,99 г/см3;. Легко окисляется; с кислотами реагирует с выделением Н2. Может быть получен (в смеси с In и In2О3), а также термическим разложением In2(С2О4)3. Пары In2О образуются при нагревании смеси In с In2О3
Соответствующий In2О3 гидроксид In(ОН)3 - бесцветные кристаллы с кубической решеткой; плотн. 4,33 г/см3. Свежеосажденный гидроксид легко взаимодействует с разбавленными минеральными и некоторыми органическими кислотами.
С разбавленными растворами щелочей, а также с аммиаком не реагирует. С концентрированными растворами щелочей образует индаты. Выше 200 °С разлагается до In2О3. Получают действием NH3 на р-ры In(NO3)3, подкисленные уксусной кислотой. Используют для получения In2О3 и др. соединений In.